요약
IT之家 8 月 31 日消息，据《The Information》今日报道，长鑫存储已启动 HBM3E 内存的风险试产工作。据报道，长鑫存储当前计划扩大产能。预计到今年年底，该公司的 DRAM 制造能力将达到每月 35 万片晶圆，未来几年的产能还将继续提高。目前长鑫的 HBM3E 生产规模依然十分有限，这意味着他们刚刚进入风险试产阶段。虽然我们还不清楚长鑫存储 HBM3E 的具体规格。但根据 JEDEC（IT之家注：固态技术协会）规范，HBM3E 应采用 1024-bit 位宽，单引脚速率介于 9.2Gbps …
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IT 8 31 The Information HBM3E DRAM 35 HBM3E HBM3E JEDECITHBM3E 1024-bit 9.2Gbps 12.4Gbps 9.6Gbps 9.6Gbps HBM3E 1.2TB/s 8 8-Hi 24Gb DRAM 24GB 12 36GB HBM3E 12